掩膜光刻图案

本公司自主研发的正性光刻胶刻蚀厚度从0.5μm到15μm以及更厚。

高感光度，高产出率；高附着性，特别为湿法刻蚀工艺改进，对电镀工艺耐受性强；

可用于left-off工艺，可广泛应用于半导体行业。

更多规格的正性光刻胶正在研发与验证过程中。